时代电气:公司碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目进展顺利,项目建成达产后,将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力

2024-02-02 16:58:58 来源: 同花顺iNews

  同花顺300033)金融研究中心02月02日讯,有投资者向时代电气提问, 请董秘说一下六英寸碳化硅产线建设进展情况如何。

  公司回答表示,尊敬的投资者您好!公司碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目进展顺利,项目建成达产后,将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力,将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸,将现有4英寸SiC芯片线10000片/年的产能提升到6英寸SiC芯片线25000片/年的产能。

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