赛微电子：聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平
2024-03-18 07:07:06
来源：
同花顺iNews
同花顺（300033）金融研究中心03月17日讯，有投资者向赛微电子（300456）提问， 董秘您好，公司氮化镓（GaN）外延材料及器件的研发生产能力和在研制 8 英寸硅基氮化镓外延晶圆方面在业界处于什么水平？谢谢
公司回答表示，您好，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。谢谢关注！
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