赛微电子：GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料
2024-03-18 07:07:39
来源：
同花顺iNews
同花顺（300033）金融研究中心03月17日讯，有投资者向赛微电子（300456）提问， 董秘您好，公司氮化镓（GaN）外延材料及器件下游客户是哪些？谢谢
公司回答表示，您好，GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。谢谢关注！
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