三安光电：湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完成

同花顺金融研究中心07月14日讯，有投资者向三安光电提问， 董秘您好，即将上市的理想i8，i6搭载的sic芯片是否由湖南三安制造?

公司回答表示，湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完成。公司将持续推进电力电子业务发展，加快实现公司销售规模、盈利能力提升。

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