同花顺（300033）金融研究中心04月09日讯，有投资者向振华科技（000733）提问， 你好，在功率半导体领域第三代半导体（885908）碳化硅和氮化镓，拥有比硅基功率半导体更好的性能，请问贵公司第三代半导体（885908）碳化硅衬底的MOSFET是否已实现量产？贵公司是否有另一种第三代半导体（885908）氮化镓衬底的器件？

公司回答表示，您好，感谢您对公司的关注。公司已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列，目前处于用户试用阶段。

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