新洁能（605111）2024年半年度董事会经营评述内容如下：
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1、主营业务 公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体（881121）功率器件及功率模块的研发设计及销售。公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号3000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车（885431）及充电桩（885461）、光伏储能（885921）、AI算力服务器和数据中心（885887）、工控自动化、消费电子（881124）、5g（885556）通讯、机器人、智能家居（885478）、安防（885423）、医疗设备（884145）、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体（881121）垄断供应的行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体（881121）已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能（885921）、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、行业情况 （1）所处行业 公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体（881121）功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子（881123）设备制造业（C39)”大类下“半导体（881121）分立器件（884090）制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子（881123）设备制造业”。 功率半导体（881121）是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体（881121）处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。 功率半导体（881121）自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装（886009）形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据Yole数据，功率半导体（881121）器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体（881121），迭代周期（883436）相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期（883436）。 发展至今，功率半导体（881121）已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体（881121）产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体（881121）等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能（605111）从成立之初即基于全球半导体（881121）功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。 （2）市场规模分析 根据世界半导体（881121）贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体（881121）销售额将增长13.1%。功率半导体（881121）的市场规模在全球半导体（881121）行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体（881121）功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子（881124）、汽车电子（885545）、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车（885431）/充电桩（885461）、数据中心（885887）、风光发电、储能（885921）、智能装备制造、机器人、5g（885556）通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期（883436）性波动较弱，全球功率半导体（881121）市场规模稳步增长。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体（881121）市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元，其中功率IC市场占54.8%，功率分立器件（884090）占30.1%，功率模块占15.1%；中国功率半导体（881121）的市场规模，预计2024年将达到206亿美元，占全球市场约为38%。中国作为全球最大的功率半导体（881121）消费（883434）国，未来市场发展前景良好。 ①按产品品类 功率半导体（881121）按器件集成度可以分为分立器件（884090）（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体（881121）分立器件（884090），按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛 ②按应用领域 随着新能源汽车（885431）和充电桩（885461）、AI算力服务器及数据中心（885887）、光伏及储能（885921）、无人机（885564）、5g（885556）、物联网（885312）、人工智能（885728）等新兴市场为功率半导体（881121）行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子（881124）等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。 新能源汽车（885431）及充电桩（885461） 汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车（885431）创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车（885431）产业链逐步成熟，产品向多元化发展。 据中国汽车工业协会分析，2024年上半年，国内汽车销量同比微增，终端库存高于正常水平；汽车出口保持快速增长，对拉动市场整体增长贡献显著，新能源汽车（885431）出口增速明显放缓；新能源汽车（885431）产销继续保持较快增长，市场占有率稳步提升。中汽协数据显示，2024年1-6月，汽车产销分别完成1,389.1万辆和1,404.7万辆，同比分别增长4.9%和6.1%。其中，新能源汽车（885431）产销分别完成492.9万辆和494.4万辆，同比分别增长30.1%和32%。2024年1-6月，汽车出口279.3万辆，同比增长30.5%。下半年我国汽车市场有望继续保持稳中向好发展态势，新能源汽车（885431）成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子（885545）需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。 在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车（885431）迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力（562350）系统控制到无人驾驶（885736）技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体（881121）作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片（885945）数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片（885945）数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器（884304）、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体（881121）器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiC MOSFET均有广泛使用。根据IC WISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。 充电桩（885461）是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车（885431）的高速增长的态势，也带动充电桩（885461）产业步入快速发展期，全国各地充电桩（885461）建设正在提速。交通运输部印发《关于加快推进2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩（885461）3,000个、充电停车位5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩（885461）的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩（885461）相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩（885461）的最核心部件，成本占充电桩（885461）的50%以上，而功率半导体（881121）是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。 AI算力服务器及数据中心（885887） 随着5g（885556）网络商用的持续推进，云计算（885362）、大数据（885452）、人工智能（885728）等新一代技术的快速演进，智慧城市（885378）、数字政府、工业互联网（885783）等应用的迅速发展，数据中心（885887）作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心（885887）的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心（885887）数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能（885728）是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能（885728）+’行动，更好赋能千行百业”。 服务器是数据中心（885887）中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心（885887）则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据（885452）战略、数字经济（885976）等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心（885887）、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息（000977）的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。 以SGT MOSFET、SJ MOSFET、GateDriver、Dr MOS为代表的功率半导体（881121）在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。 光伏储能（885921）：库存改善、加速渗透 随着全球制定“碳达峰、碳中和（885919）”目标，带来了更多绿色能源发电、储能（885921）需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。根据国家能源局数据，2024年上半年，光伏新增装机102.48GW。其中，集中式光伏新增装机49.6GW；工商业新增装机37.03GW；户用光伏新增装机15.85g（885556）W。中国光伏行业协会名誉理事长王勃华预测，2024年中国新增光伏装机保守情况达到190GW，同比下滑；乐观情况下同比略有上升，达220GW，2024年全行业首要任务是确保光伏产业稳定健康发展，防止大起大落。 中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器（884304）的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器（884304）出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器（884304）总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器（884304）海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器（884304）企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2024年1-6月我国光伏逆变器（884304）累计出口40.11亿美元，同比下降34.76%。与此同时，逆变器（884304）出口自今年2月以来连续4月环比提升，6月我国逆变器（884304）出口金额9.18亿美元，为近12个月最高水平，同、环比分别增长-4%、18%。欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，亚、非、拉等新兴市场表现亮眼。 IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器（884304）的核心零部件，在逆变器（884304）中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器（884304）的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器（884304）的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。IGBT单管及模块占光伏逆变器（884304）价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。 工控自动化、泛消费（883434）及其他市场 在工业生产中，功率半导体（881121）在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体（881121）组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。功率半导体（881121）也广泛应用于各种消费电子（881124）产品中，比如电源适配器、电源供应器和led（884095）照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器（885543），都需要依赖功率半导体（881121）来控制电力（562350）的使用，控制和转换电力（562350），以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体（881121）下游应用中，工业占比35%，消费电子（881124）占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体（881121）稳定的基本盘。 2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费（883434）品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费（883434）品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力（562350）、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；支持老旧营运船舶报废更新；支持老旧营运货车报废更新；提高农业机械报废更新补贴标准；提高新能源公交车及动力电池更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费（883434）品以旧换新方面，提出支持地方提升消费（883434）品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，工业及消费（883434）品领域的市场空间有望进一步释放。 除上述应用外，功率半导体（881121）在无人机（885564）、安防（885423）、医疗设备（884145）、锂电保护、5g（885556）通信、物联网（885312）等领域均有大量应用，市场规模将随经济发展、技术迭代、新应用普及等因素而稳步提升。二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司共实现营业收入87,348.90万元，较去年同期增长了15.16%；归属于上市公司股东的净利润21,764.85万元，较去年同期增长了47.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润21,413.50万元，较去年同期增长了55.21%。 2024年第二季度，公司实现营业收入50,180.66万元，环比第一季度增长35.01%；归属于上市公司股东的净利润11,758.21万元，环比第一季度增长17.50%。 （一）市场营销 2023年受全球经济增速放缓、下游应用市场景气度波动、局部国际形势恶化等因素的综合影响，全球半导体（881121）行业市场增速有所放缓。同时，国际半导体（881121）厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体（881121）品牌开展价格竞争，公司面临着诸多挑战。基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品导入并大量销售至新能源汽车（885431）和充电桩（885461）、光伏和储能（885921）、AI服务器和数据中心（885887）等新兴领域客户，并开发出更多的行业龙头（883917）客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。 2024年春节以来，下游市场逐步恢复，新兴应用领域需求显著增加，公司库存加速消化，部分产品出现了供不应求甚至持续加单的情况。公司敏锐把握市场行情，及时了解和积极响应客户需求变化，提前加大排产，满足市场新增需求，进而推动业绩稳步增长。 产品结构方面： （1）IGBT产品作为光伏和储能（885921）行业的重点应用产品，2023年受到光伏储能（885921）行业整体去库存的影响，需求有所减弱。2024年初以来，下游客户需求逐渐恢复，并逐步加大提货力度，但整体销售尚未达到去年同期水平。对此，公司积极调整结构应对下游变化，拓宽了更多的应用领域，加大了对于变频、小家电（881173）、工业自动化、汽车电子（885545）等领域的销售力度。2024年上半年，公司IGBT实现了销售收入1.41亿元，相比去年同期减少了22.64%；销售占比从去年同期的24.07%降低到今年的16.20%。公司预计下半年光伏IGBT产品会进一步回暖，同时新品大电流IGBT单管上量，销售将比上半年有所增长。 （2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司产品中销售基数最大、客户群体最多的产品平台。目前SGT-MOSFET产品主要应用于汽车电子（885545）及工控、泛消费（883434）领域当中，受益于相关下游领域的景气度影响，上半年产品销量显著增长。2024年上半年，公司SGT-MOSFET实现销售收入3.60亿元，相比去年同期增长了40.29%，销售占比从去年同期33.95%增长到41.44%。目前，公司的SGT-MOSFET产品部分品种已处于供不应求阶段，公司将积极跟进客户需求，保证已有销售市场，并积极拓展其他新兴市场，尤其是AI算力服务器应用中，多款产品均为SGT系列。公司预计下半年SGT产品的销售量仍会继续提升。 （3）SJ-MOSFET产品方面，上半年实现销售收入1.02亿元，相比去年同期增加了8.49%，销售占比从去年同期的12.48%降低至11.78%。公司最新的第四代SJ-MOSFET产品系列型号齐全，已经开始批量交付，下半年将进一步加大在家电、AI服务器、汽车OBC等领域的推广，预计公司SJ-MOSFET产品的销售将迈上新的台阶。 （4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，客户群体众多，应用模式多样，长期积累的客户群体广泛，对于公司产品有长期信任的基础，随着春节后部分市场的复苏，工控、泛消费（883434）、汽车电子（885545）需求的带动下，公司Trench-MOSFET产品的销售也获得了相应的增长。2024年上半年，Trench-MOSFET产品实现销售收入2.55亿，比去年同期增长了19.64%，销售占比从去年同期的28.15%提升到29.30%。 市场结构和客户结构方面： 2024年上半年，公司坚守稳固已有客户，开拓更多市场应用，一方面积极响应原有市场客户需求，持续跟进订单，并通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司积极探索新的下游应用领域，在新能源汽车（885431）、光伏储能（885921）、AI服务器和数据中心（885887）、无人机（885564）等重点新兴应用领域不断加大投入，推动和客户的战略合作，增加客户对公司品牌的认可度，进而形成战略互补深度合作，以获取更大的市场份额提升。 从具体结构来看： 汽车电子（885545）方面：2023年底公司与比亚迪（002594）的合作转为直供，对于产品需求的及时保障显得更为重要，公司为比亚迪（002594）销售配置专门的团队，从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪，服务协调，实现了更多车规产品的导入，进一步扩大与比亚迪（002594）的合作规模。2024年上半年同比增长供应产品数量超5成，并有多款型号应用于OBC、DC转换等重要三电电源模块；对于其他已经形成规模出货的车企，加速提供更多AEC-Q认证的产品系列，扩大销售产品规模，涉及新的车规产品、新的车企用户，从产品送样开始建立管理体制，确保送样产品从生产制程、具体车载应用、具体车型等可追溯。同时，积极协调车企对公司的审核，快速实现产品上量销售，持续加强新洁能（605111）品牌在汽车类客户的知名度和占比。公司继续将汽车市场国产品牌出货品种数最多，出货总数量最大作为公司的销售目标。 光伏储能（885921）市场：2024年上半年实现了显著回暖。特别是在20KW以内混网和离网市场，受非洲等地区供电不稳定因素影响，该市场需求快速增长，形成了增长点。对此，公司一方面，积极开拓光伏企业，推广第七代IGBT产品，同时针对于该市场供应快、低成本的特点，主动进行部分库存IGBT的去库存。对于0.5至2度电类储能（885921）电源，公司通过前期市场推广布局，大力推广SGT类产品，抓住行业头部客户，有效形成了订单增量，并积极协调产能应对紧急交付，实现销售额增长。组串式光伏市场，依旧是光伏市场主要产品形态，但该市场受欧洲能源危机解除、全球经济疲软、光伏企业迅速增加等多重影响，该市场依旧处于恢复期。从长远来看，光伏依旧是实现能源清洁低碳转型、能源独立、能源安全的长远之计，光伏行业依旧是发展空间巨大、前景广阔的重要市场，公司将持续重点关注与发力。 其他市场：近年以来，随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已最终应用于GPU领域海外头部客户并实现大批量销售，且更多料号已通过验证，未来将进一步快速增长。 此外，随着中央及地方关于低空经济（886067）的行业支持政策密集出台，短途运输、物流配送、低空旅游、体验飞行、文化体育（884258）等“大众化”和“个性化”航空消费（883434）场景不断涌现，低空空域逐步开放，无人机（885564）(消费（883434）级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济（886067）相关产品将具有更广阔的市场前景。当前我国低空应用和需求远未饱和，产业链各个环节均将受益。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济（886067）对功率半导体（881121）提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济（886067）产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机（885564）BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。 （二）研发创新 2024年上半年，公司实现研发投入4,046.81万元，占营业收入的比例为4.63%。截至目前，公司共有专利197项，其中发明专利93项（不含已到期专利），集中电路布局图40项。 IGBT平台： （1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V和1200V产品已经完成40A~200A多个电流规格产品量产，并通过代表性光伏、储能（885921）客户测试，开始进入批量阶段； （2）目前第七代IGBT在12寸和8寸晶圆全部具备量产条件，并有相应产品开始批量投产。第七代650V高短路能力低频系列IGBT产品已经完成内部测试，开始向客户推广，主要用于马达驱动、工业变频等应用； （3）750V高频大饱和电流IGBT平台已经搭建完成，电流规格涵盖40~200A，已经开始批量投产，主要用于单项和工商业光伏逆变及储能（885921）应用； （4）1400V高短路能力低频IGBT平台工程流片已完成，参数达到预期水平，并完成交直流测试，开始送客户端评估，该系列主要目标市场为800V及以上电池系统的汽车空调（884113）、ptc（PTC）等应用； （5）第七代快速恢复体二极管的650V逆导（RC-IGBT）IGBT目前已经在开发流片中，该系列产品主要用于冰箱、空调（884113）等消费（883434）类马达驱动应用； （6）第七代IGBT1000V平台已完成初步搭建，芯片已经产出，各项参数达到预期水平，该平台主要用于光伏、储能（885921）应用的三电平IGBT模块中； （7）第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）芯片全部自行设计，并专门设计了不同的动态特性以匹配相应的IGBT产品应用。 SJ MOS平台： （1）第四代超结MOS600V、650V优化特征导通电阻（Rsp）平台已经在8寸晶圆厂全面量产； （2）500V优化特征导通电阻（Rsp）工程批已产出，特征导通电阻（Rsp）可以降低10%左右，后续将逐步进行平台展开； （3）第四代800V深沟槽SJ MOS平台开始进入量产，并增加快速恢复体二极管设计，产品主要用于微型逆变器（884304）等市场； （4）第四代950V深沟槽SJ MOS平台目前已经开始工程流片，该平台预计较第二代SJ MOS900V平台特征导通电阻（Rsp）降低25%以上； （5）在四代SJ MOS平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品，目前首轮工程批已完成，反向恢复速度可以提升40%，反向恢复损耗降低60%左右，参数符合预期，目前正在进行可靠性考核，该系列产品后续主要用于大功率OBC、充电桩（885461）等应用； （6）第五代SJ MOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，目标600V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。 SGT MOS平台： （1）P沟道60V SGT MOS平台完成车规认证，参数性能达到业界领先水平，已进入量产阶段； （2）具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的N沟道30V第三代SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，该平台不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至18款； （3）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGT MOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，不同电流规格和封装外形系列产品数量已拓展至40余款，10余款产品已完成车规认证，20余款产品正在进行车规认证； （4）上述N30V~N40V第三代SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心（885887）、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用； （5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGT MOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，平台产品数量拓展至10余款，主要针对A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器（884304）、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用； （6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGT MOS均完成工艺固化，进入风险量产阶段。以85V第三代SGT MOS为例，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品主要针对AI算力、混动新能源车48V系统、车载空调（884113）、工程机械（881268）专用车辆主驱电控、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机（885564）电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。 Trench MOS平台： （1）基于8寸平台具有创新结构的高可靠性P30V~60V产品平台，已Tape out一颗产品并完成1st工程批流片参数基本达到要求，可靠性能满足车规要求； （2）N200V的工艺条件确定且工厂flow已建完，待工程批上线流通； （3）具有高元胞密度（0.75um Cell Pitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台已tape out7套mask并衍生出32颗系列产品； （4）超高元胞密度（0.55um Cell Pitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化，已tape out3套mask，产品进入小批量； （5）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65um Cell Pitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台工艺条件已确定，目前正单项开发中。 第三代半导体（885908）功率器件平台： （1）公司已开发完成1200V23m（MMM）ohm~75mohm和750V26mohm SiC MOSFET系列产品，新增产品6款，相关产品处于小规模销售阶段； （2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200V GaN产品开发中。 汽车电子（885545）平台： 公司在SGT MOS、Trench MOS、SJ MOS、IGBT四大产品平台上已有150余款典型产品基于APQP完成了产品开发，通过了AEC-Q101车规可靠性考核，报告期内新增10余款车规级产品，另有70余款产品正在认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了P型20V至200V共7个电压等级，N型30V至650V共13个电压等级，报告期内新增N型75V和82V两个电压平台系列产品，且在持续扩充增量中。此外，公司正在积极开发具有更低热阻、更高功率密度的先进车规级封装外形产品，包括双面散热PDFN5×6、TOLT、sToll等，相关系列产品均已在可靠性验证中。 目前，公司的车规产品已大批量交付近100家Tier1厂商及终端车企，新增导入10余家汽车客户，从原先的域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、ptc（PTC）、OBC、电控悬架等领域，公司产品进一步应用到智能驾驶等要求更高安全、高功率、高稳定的模块中。 此外，公司针对汽车质量管理体系不断完善和改进，进一步落实汽车质量管理体系对于公司的适宜性、充分性和有效性，确保质量管理体系满足IATF16949：2016与ISO9001：2015标准要求和公司发展需要。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI与数据中心（885887）、新能源光储充、汽车电子（885545）、工业自动化、和半导体（881121）功率模块产品的开发力度。工艺条件已确定，目前正单项开发中。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 报告期内，芯片代工供应稳定，同时公司已开发第三代半导体（885908）产品的芯片代工厂，目前SiC MOSFET产品进入风险量产。同时，公司积极开发符合车规要求的化镀资源，完成了TOLT、LFPAK、STOLL等新品的工程批试封，推动封装运营管理系统的进一步电子化。 （四）子公司发展情况 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。报告期内，总营收比去年同期增长14.17%，利润与去年同期相比增加了181.61%，实现扭亏为盈。 一直以来，电基集成特别注重制造智能化和汽车封测产线的建设，今年上半年新增数十家汽车客户的导入和监督审核，汽车产品在公司的产品结构中的占比进一步提升。厂房布局不断向智能化方向调整，智能醒料系统已建设完成并顺利投入使用，省市级智能制造（885941）示范车间项目和星级上云项目都已在申报过程中，同时持续推动智能工厂建设，以进一步提升企业竞争力。 电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品，包括DSC PDFN、sTOLL等封装形式，其中sTOLL的Clip加Wire的工艺已进入小量阶段，sTOLL的Full Clip的工艺已进入小试状态，配合先进封装（886009）的激光全切技术已调试完成。 2、金兰半导体（881121） 公司的控股子公司金兰功率半导体（881121）（无锡）有限公司，其主要致力于半导体（881121）功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（885545）（含新能源）、5g（885556）基站电源、工业电源、新能源光伏及储能（885921）电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体（881121）的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部分成员具有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体（881121）已建设完成第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。计划2024年开始按车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，2025年通过车规质量体系IATF16949审核。 产品开发方面： （1）开发完成：基于650V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款模块产品完成开发。完成开发的模块产品平台有LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2等。其中应用于组串式光伏逆变/储能（885921）的产品LQ2_300A&450A/650V和LE3_650A/650V已通过内部测试，客户测试进行中；应用于集中式逆变/储能（885921）的产品L62_800A/1200V和LD3_600A&800A/1200V开发完成，通过内部测试，客户测试进行中；应用于车用空调（884113）控制的产品LE1_35A/1200V和LE2_50A/1200V已通过客户测试，预计2024年下半年开始批量生产。 （2）正在开发：基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能（885921）领域和工业控制变频的IGBT模块产品正开发。包括应用于组串式光伏逆变/储能（885921）的产品LE2_100A&150A&200A/1200V、LQ2_400A/1000V、LE3_600A/1000V（同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品）；集中式光伏的L62_1000A/1200V、LD3_1000A/1200V。公司计划在2024年下半年初步完成光伏领域的产品布局，与此同时，2024年下半年计划完成开发用于工业电机控制和变频的3个产品平台，包括L34、LN2、LN3；以及，在原有产品平台LE1、LE2、L62、LD3上拓展产品，开发应用于工业控制和变频的系列产品。 2024年上半年，公司申请了专利27项（其中5项为发明专利），已授权5项实用新型；公司通过了2024年“无锡市智能制造（885941）成熟度二级”的审核；2025年计划申请“国家高新科技企业”。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子（885545）、光伏及储能（885921）、数据中心（885887）和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅集成就特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。 目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片25款（2024年新增5款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片20款（2024年新增4款），适用于储能（885921）、工业控制等应用；相关产品已经在储能（885921）、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增的高侧驱动、马达驱动两条产品线，已经在重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居（885478）等应用展开推广、销售。 国硅集成2024年通过江苏省“专精特新（885929）”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定；顺利通过无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项；2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。 截至目前，国硅集成累计获得知识产权55项，其中专利14项（发明专利6项，实用新型8项），集成电路布图40件，软件著作权1件。 （五）内部管理 2024年上半年，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。 （六）投资情况 2024年，公司继续围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在公司所处产业链相关领域，通过对一些能够与公司业务形成紧密协同、且具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，形成新的整体解决方案，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，从而增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 2024年上半年，公司参与无锡盛景微（603375）电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售，进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作。此外，公司参股投资以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商、原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商，该两项投资有利于公司纵向资源整合，持续完善产业链布局。三、风险因素
1、市场波动风险 半导体（881121）功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体（881121）功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体（881121）功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。 针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大新能源汽车（885431）和充电桩（885461）、光伏储能（885921）、AI算力、无人机（885564）、高端工控等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体（881121）国产替代的窗口，持续实现稳定发展。 2、采购价格波动风险 芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。 针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。 3、供应商依赖的风险 公司是半导体（881121）专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与日月光（ASX.US）、长电科技（600584）（600584）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。 针对上述风险，考虑到半导体（881121）行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。 4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险 公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。 针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。四、报告期内核心竞争力分析
1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体（881121）功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有197项专利（其中发明专利93项、美国专利2项），集成电路布局图40项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体（881121）功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体（881121）领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体（881121）功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体（881121）功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体（881121）功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体（881121）芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体（881121）功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能（885921）、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经逐步实现小规模销售；在化合物半导体（881121）领域，公司的SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有3000余款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体（881121）功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体（881121）功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装（886009）测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体（881121）功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装（886009）技术和产品，同时子公司金兰半导体（881121）已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体（881121）产品特别是高端半导体（881121）产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体（881121）功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车（885431）和充电桩（885461）、光伏储能（885921）、AI服务器和数据中心（885887）、无人机（885564）、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体（881121）功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体（881121）功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
