振华科技：公司碳化硅器件有SIC SBD和SIC MOSFET，产品覆盖600V～1700V等十余款型号

来源： 同花顺iNews
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　　同花顺（300033）金融研究中心04月09日讯，有投资者向振华科技（000733）提问， 你好，请问贵公司目前第三代半导体碳化硅器件主要有哪些？氮化镓器件主要有哪些？

　　公司回答表示，您好，感谢您对公司的关注。公司碳化硅器件有SIC SBD和SIC MOSFET，产品覆盖600V～1700V等十余款型号；氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列。

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